晶圓切割高速主軸,為何要選10萬轉(zhuǎn)氣浮主軸?
在晶圓切割過程中選擇10萬轉(zhuǎn)氣浮主軸,主要是基于以下幾個關鍵因素的綜合考量:
1. 超高轉(zhuǎn)速滿足脆性材料加工需求
晶圓(如硅、碳化硅、藍寶石等)屬于硬脆材料,
切割時需要極高的切削速度(線速度通常需達到3~5 m/s以上)以避免材料崩邊或微裂紋。
10萬轉(zhuǎn)的高速主軸可直接驅(qū)動小直徑刀片(如20~50μm厚度的金剛石刀片),
在保持高線速度的同時實現(xiàn)更窄的切縫,減少材料損耗并提升切割精度。
2.氣浮軸承的無摩擦特性
零接觸、零磨損:氣浮主軸通過空氣薄膜支撐轉(zhuǎn)子,
完全避免機械軸承的摩擦和發(fā)熱問題,尤其適合長時間高速運行。
無振動、無熱變形:晶圓切割對振動極為敏感,
氣浮主軸的動態(tài)平衡性極佳(振動通常低于0.1μm),可確保切割邊緣的平滑度和芯片良率。
無潤滑污染:傳統(tǒng)油潤滑軸承可能引入污染物,
而氣浮主軸使用潔凈壓縮空氣,完全兼容半導體行業(yè)的潔凈室要求(Class 100以下)。
3. 高精度與穩(wěn)定性
徑向/軸向跳動極?。?lt;1μm):氣浮主軸在高速下仍能保持超高旋轉(zhuǎn)精度,
這對控制切割深度(如TSV硅通孔加工)和避免晶圓分層至關重要。
動態(tài)響應快:氣浮結構剛度高,可快速響應數(shù)控系統(tǒng)的指令,
適應晶圓切割中的頻繁啟停和變速需求(如遇到劃片道對準時)。
4. 適應超薄晶圓與先進封裝工藝
現(xiàn)代晶圓厚度已降至50~100μm(如3D IC堆疊),傳統(tǒng)主軸易導致材料碎裂。
氣浮主軸的超高轉(zhuǎn)速配合極小切削力,可實現(xiàn)“無應力切割”。
對于異質(zhì)集成(如硅基GaN)或超硬材料(如碳化硅),
10萬轉(zhuǎn)的氣浮主軸能有效減少熱損傷和相變風險。
5. 壽命與維護成本優(yōu)勢
氣浮主軸無機械接觸,理論壽命可達數(shù)萬小時,
遠高于機械軸承主軸(如角接觸球軸承需定期更換)。
維護僅需保證氣源潔凈度(過濾至0.1μm),
適合半導體設備對可靠性的嚴苛要求。
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